聯電（2303）在 2026 年 10 月 28 日法說會宣布重大擴產計畫，董事會已核准追加約 32 億美元資本支出預算，將加快矽光子、先進封裝相關技術的產能建置，並以新加坡與台南廠區作為主要布局據點。聯電預期，新產能將從 2028 年底陸續放量，並在 2030 年達到規模化水準。
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聯電追加 32 億美元資本支出，加快新事業擴產
聯電執行長王石表示，隨著客戶對先進封裝及矽光子技術的需求增加，公司需要加快擴產進度，才能配合客戶的新產品開發與量產時程，因此，董事會已正式核准追加約 32 億美元資本支出預算。
不過，這次擴產並不是全面增加一般成熟製程產能，而是將資源集中在具備明確客戶需求的新業務。聯電指出，部分新技術的客戶需求已超過現階段供給能力，公司正透過調整既有產線及新建產能，縮短供需缺口。
也就是說，這筆投資的重點不單純是製造更多晶圓，而是希望增加能夠生產高價值產品的產能。
聯電擴產鎖定 3 大技術：矽光子、矽電容、薄膜鈮酸鋰
根據法說會說明，聯電下一階段的擴產重點將集中在三項技術，包括矽光子、深溝槽電容與矽電容，以及薄膜鈮酸鋰。相關月產能規劃目標如下：
| 擴產技術 | 規劃月產能目標 | 主要布局 |
|---|---|---|
| 矽光子（Silicon Photonics） | 約 1.8 萬片 | 新加坡廠區 |
| 深溝槽電容／矽電容 | 約 2.2 萬片 | 台南廠區 |
| 薄膜鈮酸鋰（TFLN）調變器 | 約 2 萬片 | 8 吋晶圓產線 |
上述為不同技術平台各自的規劃產能，不能直接視為相同規格的 12 吋晶圓產能相加。這三項技術都與 AI 基礎設施的發展密切相關。
新加坡廠主攻矽光子，台南廠布局高階電容
在新加坡方面，聯電將持續擴充相關晶圓製造能力，作為矽光子業務發展的重要據點。隨著 AI 資料中心對高速光通訊的需求增加，聯電希望透過新加坡廠區的擴產，支援客戶未來的光通訊晶片需求。台南廠區則將聚焦於矽電容與深溝槽電容等新業務。
這類技術可協助改善先進晶片與封裝系統的電源供應品質，對 AI 伺服器、高效能運算等應用具有重要性。至於薄膜鈮酸鋰調變器，聯電將透過既有 8 吋晶圓產線推進，擴大高速光通訊相關產品的供應能力。
聯電新產能何時量產？2028 年底放量、2030 年達規模
外界關心的是，聯電這次追加投資，何時才能真正轉化為營收？
根據法說會提出的規劃，新產能預期自 2028 年底開始逐步放量，並在 2030 年達到規模化水準。這代表新增資本支出並不會立即轉化成大幅增加的產能，相關廠房、設備及製程仍需要時間建置與驗證。
聯電也強調，擴產時程將與客戶需求同步，避免一次投入過多產能。
部分客戶預估的需求甚至可能超過公司現有擴產計畫，因此聯電將採取分階段方式投入，兼顧未來商機與資本支出風險。
聯電 32 億美元擴產總結：瞄準 AI 基礎設施的新需求
聯電這次追加約 32 億美元資本支出，顯示公司正積極擴大傳統晶圓代工之外的新業務。
不過，新產能預計到 2028 年底才會逐步放量，實際營收貢獻仍取決於客戶驗證、產品量產進度及市場需求。未來幾年，新加坡與台南擴產的執行進度，將是聯電的重要觀察重點。
（資訊來源：聯電法說會直播）
🌟 本文為財報與市場資訊整理，不構成投資建議。投資人應依自身財務狀況與風險承受能力審慎判斷。
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