聯電（2303）在 2026 年第三季法說會揭露矽光子與先進封裝的最新進展。隨著 AI 資料中心對高速傳輸、電源效率及記憶體頻寬的需求持續增加，聯電正積極擴展相關技術。
其中，12 吋矽光子平台已具備支援 1.6T 光學應用的能力，薄膜鈮酸鋰平台也完成 1.6T 系統驗證，未來更將朝 3.2T 高速光通訊應用發展。
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聯電矽光子瞄準 AI 資料中心，為何這項技術重要？
隨著 AI 模型與運算需求持續擴大，資料中心內部需要傳輸的資料量也快速增加。
傳統電訊號傳輸在頻寬、功耗及傳輸距離方面面臨挑戰，因此利用光訊號傳輸資料的矽光子技術，逐漸成為高速運算系統的重要發展方向。
簡單來說，矽光子是利用半導體製程製作光學元件，讓晶片能夠透過光訊號進行高速資料傳輸。對 AI 資料中心而言，這項技術有機會改善高速互連的傳輸效率，並降低部分資料傳輸所需的能源消耗。
聯電認為，隨著 AI 基礎設施持續升級，矽光子、先進封裝與高效率電源解決方案，將帶來長期成長機會。
聯電 12 吋矽光子平台支援 1.6T，薄膜鈮酸鋰完成系統驗證
此外，8 吋薄膜鈮酸鋰（TFLN）平台也已完成 1.6T 系統驗證。所謂 1.6T，指的是光通訊系統達到每秒約 1.6 Tbps 的傳輸速率。相較於既有的 800G 光通訊規格，1.6T 能夠提供更高的資料傳輸能力，有助於支援大型 AI 資料中心不斷增加的頻寬需求。
聯電先前已完成首批 12 吋矽光子量產晶圓交付，代表相關技術已逐步從研發驗證走向實際產品製造。
不過，具備支援 1.6T 的技術能力，不等於所有相關產品都已全面量產，實際出貨仍須配合客戶產品設計與驗證時程。
聯電矽光子挑戰 3.2T，朝每通道 400G 發展
除了現有的 1.6T 應用，聯電也揭露下一階段的高速光通訊技術規劃。公司將持續推進每通道 300G，並朝每通道 400G 的解決方案發展，目標支援下一代 3.2T 光通訊應用。
相關技術將結合：
- 混合鍵合（Hybrid Bonding）：協助不同晶片進行高密度連接。
- 矽穿孔（TSV）：透過晶片內部的垂直導通結構進行訊號連接。
- 晶片至晶圓整合（Chip-to-Wafer）：協助不同功能的晶片整合在同一系統中。
也就是說，聯電希望提供的不只是單一矽光子晶片，而是結合高速光通訊與先進封裝的整合製造技術。
不過，3.2T 仍屬於後續技術發展方向，尚不能視為已完成全面商業化量產。
聯電先進封裝也有進展，深溝槽電容已進入量產
其中，應用於行動裝置的離散式深溝槽電容（DTC）方案，已於第三季進入量產階段。深溝槽電容可以透過特殊半導體結構，在有限空間內提供較高的電容密度，有助於改善晶片電源供應的穩定性。
聯電也已推進面向 AI 與伺服器應用的基板嵌入式深溝槽電容方案，目前完成投片及功能驗證。此外，為因應 AI 推論對高頻寬記憶體的需求，聯電也正在開發客製化記憶體堆疊方案，並已展開初步客戶驗證。
這些技術雖然不直接負責 AI 運算，卻與 AI 系統的資料傳輸、電源供應和記憶體整合密切相關。
聯電矽光子何時貢獻營收？未來數季逐步放量
聯電表示，目前先進封裝與矽光子相關客戶合作持續增加，部分既有專案已進入放量階段，也有新產品正在完成設計定案。
公司預期，這些合作將在未來數季逐步轉化為營收成長動能。為因應需求，聯電除了調整既有產能，也已核准追加約 32 億美元資本支出，加快新事業擴產。
長期而言，矽光子、薄膜鈮酸鋰及先進封裝能否成功擴大量產規模，將影響聯電在 AI 基礎設施市場的發展。
聯電矽光子布局總結：從晶圓代工延伸至 AI 高速互連
整體來看，聯電正在將既有的晶圓製造技術延伸至矽光子、先進封裝與高效能電源相關應用。
不過，相關業務仍須經過客戶驗證、產能擴充與量產爬坡，實際營收貢獻仍有待後續觀察。
（資訊來源：聯電法說會直播）
🌟 本文為財報與市場資訊整理，不構成投資建議。投資人應依自身財務狀況與風險承受能力審慎判斷。
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